2008年2月22日，中国，北京 — 全球领先的闪存供应商SanDiskreg; — (NASDAQ：SNDK)与东芝(Toshiba)今日宣布签订一项非约束性谅解备忘录 ( (Non-binding MOU)。SanDisk与东芝将于2009年在日本兴建300mm晶圆厂，以应对未来市场对NAN
韩国三星电子日前表示，将从2006年6月推出嵌入32G NAND闪存的固态磁盘(SSD)PC产品。三星公司宣称，这是首款在商用移动计算应用中部署的NAND闪存固态磁盘，揭开了闪存替换硬盘的序幕。三星电子将推出两款产品：Q1超级移动计算设备以及带有12.1英寸屏幕的Q30笔记本电脑。三星公司表示，两款
来源：国外电子元器件 作者：袁文菊 孙天泽 付晓江
摘要：随着嵌入式系统产品的发展，对存储设备的要求也日益增强。文章以东芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00为例，阐述了NAND Flash的基本结构和使用方法，对比了NAND和NOR Flash的异同，介绍了容量N
11月21日，一条爆炸性的新闻吸引了人们的眼球：半导体巨头英特尔和美光(Micron)决定用52亿美元在美国合资兴建一个65nm及 45nm的NAND闪存芯片工厂，取名为"IMFlash"。该工厂计划在2006年投产。而导致这个合作的源动力来自苹果(Apple)公司MP3对NAN
根据公布的最新NAND Flash 4月 (3/18-4/17) 合约价显示，单月跌幅达17-38%，主要由于来自于上个月季末压力而导致此跌幅，不过最近NAND Flash现货价表现已更为稳定，该机构认为，在4月底及 5月的第1个即将来到的中国和日本长假，将带动终端电子产品和记忆体需求，有助NAND
投资机构美林（Merrill Lynch）最近调降2006年全球NAND型快闪记忆体（Flash）销售预估值约7％，原因是3月价格下滑幅度超出预期，此外该机构亦小幅调降全球 DRAM总营收预测。不过美林表示，DRAM价格前景看好，而NAND型Flash价格预料第二季后将不再大幅下跌。
据道琼（Dow Jones）引述市调机构iSuppli报告指出，尽管DRAM价格在2006年第一季稳定上扬，但由于目前价格已略见修正走势，iSuppli预期 2006年第二季将是DRAM产业2006年最具挑战的时期，反观在第一季价格下跌近3成的NAND型快闪记忆体（Flash），第二季跌势将转为缓和
预计2010年NAND闪存与DRAM的市场规模合计超过5万亿日元。
与上年相比，2006年NAND闪存增长28％，DRAM增长6.2％，整体增长12.9％，市场规模将达到402亿美元。美国iSuppli日前对2006年NAND闪存及DRAM市场做出了上述预测。
预计NA
根据iSuppli发布的报告，该公司分析家Nam Hyung Kim表示在本届CES中，许多厂商推出采用储存技术的新产品。事实上，来自消费性电子装置的强大需求，包括MP3、数字照相机及其他消费性设备，是带动 NAND Flash产业蓬勃发展的主要因素，也将使得2006年全球NAND Flash销售额
日经产业新闻分析指出，由于半导体厂商为了防范价格崩盘而紧缩供应量之故，因此nand型闪存格近来有回稳趋势。在4月25日的时点，2gb产品一个约5美元，这两个礼拜左右，其价格一直维持在此价位附近。产品流通量多的三月底，其价格曾一度跌到4.5美元，但是进入四月后则出现反弹回升。 nand型现货市场的买家
